Предлагаем лазер для резки полупроводниковых пластин JCSYS50A — SYS50BYAG.
Основные характеристики и технические параметры:
Длина волны лазера: 1.064 μm
Точность скрайбирования: ≤±10 μm
Максимальная толщина скрайбирования: 1.2 мм
Ширина скрайбирования: ≤50 μm
Частота повторения лазерных импульсов: 200～50 кГц
Максимальная скорость скрайбирования: 120 мм/с
Максимальная мощность лазера: ≥50 Вт
Размер рабочего полотна: 350×350 мм
Источник электроэнергии: 380В（220В）/ 50Гц/ 5KVA
Способ охлаждения: снаружи установлена (интегрированная) система циркуляционного гидроохлаждения с постоянной температурой воды.
Рабочий стол: 2 камеры воздушного разрежения, 2 Т-образных станции, работающих по очереди.
Режим управления: цифровой/обычный: два режима работы: ручной и автоматический.
В автоматическом режиме работы можно производить автоламинирование.
При использовании ручного режима рабочие осуществляют ламинирование вручную.
